生長溫度對納米氧化鋅場發(fā)射性能的影響

采用鋅粉和銀粉為蒸發(fā)源,用熱蒸發(fā)法不同溫度下制備了四針狀納米氧化鋅,并以單獨的鋅粉做對照.采用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察其形貌,X射線衍射(XRD)譜表征其晶體結構.采用絲網印刷方法將其制備為場致電子發(fā)射陰極,將陰極與印刷有熒光粉的陽極板組裝成二極結構場致發(fā)射顯示屏,并進行了場致電子發(fā)射特性對比實驗.結果表明較高溫度制備的氧化鋅具有較好的場致發(fā)射性能;摻雜銀粉的蒸發(fā)源制備的樣品的發(fā)射性能明顯優(yōu)于沒有摻雜銀粉的樣品.實驗證明ZnO是一種優(yōu)良的場致發(fā)射冷陰極材料,在真空電子方面具有廣闊的應用前景.

作 者： 楊夏喜 張曉兵 楊揚 雷威 李晶 屈科 張鵬 李馳 丁美斌 YANG Xia-xi ZHANG Xiao-bing YANG Yang LEI Wei LI Jing QU Ke ZHANG Peng LI Chi DING Mei-bin   作者單位： 楊夏喜,張曉兵,楊揚,雷威,李晶,屈科,張鵬,李馳,YANG Xia-xi,ZHANG Xiao-bing,YANG Yang,LEI Wei,LI Jing,QU Ke,ZHANG Peng,LI Chi(東南大學,電子科學與工程學院,江蘇,南京,210096)

丁美斌,DING Mei-bin(合肥工業(yè)大學,理學院,安徽,合肥,230009) 

刊 名： 發(fā)光學報  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE  年，卷(期)： 2008 29(3)  分類號： O462.4 O484.4  關鍵詞： 氧化鋅   場致電子發(fā)射   平板顯示   納米材料  

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