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NADH在環(huán)芬化合物修飾石墨電極上的電催化氧化
研究環(huán)芬化合物修飾電極的制備、電化學性質及對NADH的電催化作用.用光譜電化學法和紅外等手段對修飾前后的環(huán)芬化合物進行了表征.循環(huán)伏安性質表明該修飾電極在pH《9的磷酸鹽緩沖溶液中可穩(wěn)定存在,且在0.1mol·L-1磷酸緩沖溶液(pH=6.80)中,-0.25～+0.80V(vs.SCE)電位區(qū)間呈現兩對氧化還原峰,其中第一對峰的式量電位EΘ'為+0.300V(vs.SCE),且EΘ'隨pH值增加而負移,并算得該對峰的電子轉移數和參與電極反應的質子數均為1.該修飾電極對NADH的氧化具有良好的催化作用,降低氧化過電位超過300mV;并求得在NADH存在下,電極擴散系數為1.4×10-6cm2·s-1,推測了NADH可能的電催化機理.NADH濃度在0.05～2.0mmol·L-1范圍內與峰電流呈現良好的線性關系,可在此濃度范圍內進行定量分析.
作 者： 李國寶 楊秋霞 王雪琳 LI Guo-bao YANG Qiu-xia WANG Xue-lin 作者單位： 濟南大學,化學化工學院,山東,濟南,250022 刊 名： 濟南大學學報（自然科學版） ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF UNIVERSITY OF JINAN(SCIENCE AND TECHNOLOGY) 年，卷(期)： 2008 22(1) 分類號： O657 關鍵詞： 煙酰胺腺嘌呤二核苷酸 環(huán)芬 石墨修飾電極 光譜電化學 電催化【NADH在環(huán)芬化合物修飾石墨電極上的電催化氧化】相關文章：
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