CdSe納米晶帶隙隨溫度變化的研究

根據(jù)帶隙與吸收光譜的第一吸收峰峰位之間存在的關(guān)系,測量了粒子尺寸分別為4.0 nm和2.5 nm的CdSe納米晶在不同溫度下的吸收光譜,找出了吸收光譜第一吸收峰峰位隨溫度的變化關(guān)系,總結(jié)出了CdSe納米晶的帶隙隨溫度的變化關(guān)系,結(jié)果表明:CdSe納米晶材料的發(fā)光器件的發(fā)光顏色取決于它的帶隙.

作 者： 張穎 ZHANG Ying   作者單位： 長春大學(xué),理學(xué)院,吉林,長春,130022  刊 名： 物理實(shí)驗(yàn)  PKU 英文刊名： PHYSICS EXPERIMENTATION  年，卷(期)： 2009 29(6)  分類號： O493.2  關(guān)鍵詞： CdSe納米晶   帶隙   溫度  

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