原子氫輔助分子束外延生長臺階狀表面形貌的研究?

研究了分子束外延中引入原子氫后,原子氫對外延層表面形貌特征形成的誘導(dǎo)作用.原子力顯微鏡(AFM)測試表明,在(311)A GaAs表面,原子氫導(dǎo)致了臺階狀形貌的形成,在這種臺階狀表面進(jìn)一步生長了InAs量子點(diǎn),測試結(jié)果表明其位置分布的有序化受到臺階高度和臺階周期的制約.這為實(shí)現(xiàn)量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的有序化控制生長提供了一定的實(shí)驗(yàn)參考.

作 者： 周大勇 瀾清 孔云川 苗振華 封松林 牛智川   作者單位： 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所,超晶格和微結(jié)構(gòu)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京,100083  刊 名： 半導(dǎo)體學(xué)報(bào)  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS  年，卷(期)： 2003 24(2)  分類號： O484.1  關(guān)鍵詞： 分子束外延   原子力顯微鏡   臺階積累   量子點(diǎn)  

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