生長(zhǎng)溫度和表面增原子對(duì)外延薄膜中失配位錯(cuò)形成的影響

用分子動(dòng)力學(xué)方法模擬了三維外延鋁薄膜晶體中溫度和表面增原子對(duì)失配位錯(cuò)形成的影響,采用的原子間相互作用勢(shì)是嵌入原子法(EAM)多體勢(shì).模擬再現(xiàn)了薄膜中位錯(cuò)形成過(guò)程,結(jié)果分析表明:較高的溫度和表面增原子團(tuán)存在對(duì)薄膜中失配位錯(cuò)形成都有促進(jìn)或誘發(fā)作用;模擬中觀察到兩種不同的位錯(cuò)形核過(guò)程:一種是經(jīng)歷多余半原子面擠出過(guò)程而直接得到一個(gè)全位錯(cuò),另一種是先形成由兩個(gè)部分位錯(cuò)夾著一片層錯(cuò)的擴(kuò)展位錯(cuò),之后才得到全位錯(cuò),這兩個(gè)位錯(cuò)的伯格斯矢量都是與失配方向平行的刃型位錯(cuò).

作 者： 潘華清 周耐根 周浪 PAN Hua-qing ZHOU Nai-gen ZHOU Lang   作者單位： 南昌大學(xué),材料科學(xué)與工程學(xué)院,江西,南昌,330031  刊 名： 南昌大學(xué)學(xué)報(bào)（理科版）  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF NANCHANG UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)  年，卷(期)： 2007 31(5)  分類號(hào)： O411.3  關(guān)鍵詞： 外延   薄膜   表面增原子   失配位錯(cuò)   分子動(dòng)力學(xué)  

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