12C與133Cs反應(yīng)中Ba同位素的Qgg產(chǎn)額依賴

使用47 MeV/u12C離子轟擊133Cs靶,由多核子轉(zhuǎn)移反應(yīng)產(chǎn)生Ba同位素.使用放射化學(xué)方法.從,133Cs和反應(yīng)產(chǎn)物中分離出產(chǎn)物Ba,再使用高純Ge探測(cè)器測(cè)量Ba放射性同位素的γ活性,根據(jù)Ba同位素的活度和其他相關(guān)數(shù)據(jù).確定Ba同位素的產(chǎn)生截面.通過分析測(cè)得的Ba同位素的厚靶平均產(chǎn)生截面,發(fā)現(xiàn)缺中子Ba同位素的獨(dú)立截面不遵從規(guī)則的Qgg系統(tǒng)性.該結(jié)果可用重離子碰撞中的次級(jí)過程加以解釋.

作 者： 楊維凡 趙之正 袁雙貴 丁華杰 盧希庭 YANG Weifan ZHAO Zhizheng YUAN Shuanggui DING Huajie LU Xiting   作者單位： 楊維凡,趙之正,袁雙貴,丁華杰,YANG Weifan,ZHAO Zhizheng,YUAN Shuanggui,DING Huajie(中國科學(xué)院近代物理研究所,蘭州,730000)

盧希庭,LU Xiting(北京大學(xué)物理學(xué)院,北京,100871) 

刊 名： 科技導(dǎo)報(bào)  ISTIC PKU 英文刊名： SCIENCE & TECHNOLOGY REVIEW  年，卷(期)： 2008 26(13)  分類號(hào)： O615.11  關(guān)鍵詞： 133Cs   Ba同位素   缺中子同位素   豐中子同位素  

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