摻釔鎢酸鉛晶體缺陷的理論研究

采用基于密度泛函理論的相對論性離散變分和嵌入團簇方法,計算了摻釔PbWO4晶體中多種相關(guān)缺陷的電荷分布和不同團簇缺陷結(jié)合能,由能量最低原理發(fā)現(xiàn)[2(Y3+Pb)-V″Pb]缺陷在各相關(guān)缺陷形式中最為穩(wěn)定.并運用過渡態(tài)方法計算了軌道躍遷的激發(fā)能,算出摻Y(jié)后晶體中O2p→Y4d的躍遷能量為3.9eV,表明摻Y(jié)不會引起晶體中350nm和420nm吸收.從摻Y(jié)對PbWO4晶體電子結(jié)構(gòu)的影響來看,其作用機理與摻La的情況也有較大差異.

作 者： 劉峰松 顧牡 姚明珍 梁玲 陳銘南   作者單位： 同濟大學(xué)物理系,上海,200092  刊 名： 物理學(xué)報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2003 52(9)  分類號： O4  關(guān)鍵詞： PbWO4晶體   密度泛函   摻Y(jié)   態(tài)密度分布  

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