Yb:YAG晶體的可見熒光及其機理研究

在半導體InGaAs激光激發(fā)Yb:YAG晶體的熒光中,有一組位于460～494 nm的可見熒光.分析了這些可見熒光產(chǎn)生的原因,指出它不同于紅外熒光的發(fā)光機理,是一種離子對的合作吸收和發(fā)射.兩個離子耦合成的離子對產(chǎn)生的可見熒光,其強度隨激發(fā)功率的平方變化.提高晶體中離子對的密度,可見熒光可以得到增強.

作 者： 史全林 杜榮建 田乃良   作者單位： 史全林(長春理工大學高功率半導體激光國家重點實驗室,吉林,長春,130022)

杜榮建,田乃良(天津理工學院光電信息與電子工程系,天津,300191) 

刊 名： 光電子·激光  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF OPTOELECTRONICS·LASER  年，卷(期)： 2003 14(8)  分類號： O431.2  關鍵詞： Yb:YAG晶體   可見熒光   離子對   機理  

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