垂直磁記錄薄膜實施剩余磁化測量時退磁場的補償

對于垂直磁記錄薄膜,進行剩余磁化強度的測量時,必須補償退磁場.提出一種新方法,在直流退磁剩磁和等溫剩磁測量中采用有效反向磁場來直接補償退磁場.從而可以正確地得出垂直磁記錄薄膜的ΔM曲線并評價晶粒間的磁相互作用.還采用了三種方法來確定其中的關(guān)鍵參數(shù)--退磁因子.結(jié)果表明,c軸垂直取向的鋇鐵氧體薄膜中,晶粒間的磁相互作用是交換偶合型的;而Co-Cr-Ta薄膜中,晶粒間磁相互作用是靜磁相互作用.

作 者： 馮潔   作者單位： 上海交通大學微納米科學技術(shù)研究院,上海,200030  刊 名： 物理學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2003 52(2)  分類號： O4  關(guān)鍵詞： 退磁場補償   直流退磁剩磁(DCD)   等溫剩磁(IRM)   ΔM曲線  

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