Y2O3涂層的MOCVD法制備工藝

采用MOCVD法,通過金屬有機先驅體Y(TMHD)3與O2反應在石英或CVD-SiC基片上制備Y2O3涂層,探索了制備工藝對沉積結果的影響.結果表明,先驅體氣相濃度對Y2O3涂層生長方式和涂層與基片的結合強度有很大影響;沉積溫度在600℃～700℃范圍內,隨著溫度的升高涂層致密度提高,空洞缺陷減少.

作 者： 付正 張立同 成來飛 龔磊 何國梅 羅立志 夏海平   作者單位： 付正,張立同,成來飛(西北工業(yè)大學超高溫結構復合材料國防科技重點實驗室)

龔磊,何國梅,羅立志,夏海平(廈門大學化學化工學院) 

刊 名： 航空制造技術  ISTIC 英文刊名： AERONAUTICAL MANUFACTURING TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2007 ""(z1)  分類號： V2  關鍵詞： 氧化釔   化學氣相沉積   金屬有機先驅體   基片  

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